BC177
Основные параметры транзистора BC177B биполярного высокочастотного pnp.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
| Pc max |
Ucb max |
Uce max |
Ueb max |
Ic max |
Tj max, °C |
Ft max |
Cc tip |
Hfe |
| 300mW |
45V |
45V |
5V |
100mA |
175°C |
130MHz |
7 |
180MIN |
Производитель: SIEMENS
Цоколевка транзистора BC177
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
| 
