Пятница
22.09.2017
20:05
Форма входа
Категории раздела
Транзисторы [4]
Диоды [0]
Микросхемы [2]
РЕКЛАМА
Фото
Реклама

Поиск
Друзья сайта
  • Все для веб-мастера
  • Программы для всех
  • Мир развлечений
  • Лучшие сайты Рунета
  • Кулинарные рецепты
  • Статистика

    Онлайн всего: 1
    Гостей: 1
    Пользователей: 0
    Теги сайта
    Страны
    free counters
    Free counters
    Block title
    Block content
    !!!
    Коллекция работ и идей. Всё своими руками.
    Главная » Статьи » Data Sheets » Транзисторы

    ГТ308

    ГТ308

    Описание

    Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в автогенераторах, усилителях мощности и импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном  корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2.2 г.

     

    Характеристики транзистора
    Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
    Аналог   ГТ308А 2N797  
    ГТ308Б 2N796  
    ГТ308В 2N2048  
    ГТ308Г  
    Структура      — p-n-p  
    Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max  — 150(360**) мВт
    Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max А ≥90 МГц
    Б ≥120
    В ≥120
    Г ≥120
    Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. А 20 В
    Б 20
    В 20
    Г 20*
    Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  А  — 3 В
    Б 3
    В 3
    Г 3
    Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max А 50(120*) мА
    Б 50(120*)
    В 50(120*)
    Г 50(120*)
    Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO А 5 В ≤2 мкА
    Б 5 В ≤2
    В 5 В ≤2
    Г 5 В ≤2
    Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э А  1 В; 10 мА 20…75*  
    Б 1 В; 10 мА 50…120*
    В 1 В; 10 мА 80…200*
    Г 1 В; 10 мА 80…150
    Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э А 5 В ≤8 пФ
    Б 5 В ≤8
    В 5 В ≤8
    Г 5 В ≤8
    Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас А ≤30 Ом
    Б ≤24
    В ≤24
    Г ≤24
    Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых А Дб, Ом, Вт
    Б
    В 1.6 МГц ≤8
    Г 1.6 МГц ≤8
    Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) А ≤400 пс
    Б ≤1000*
    В ≤400
    Г ≤500

    Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

    Категория: Транзисторы | Добавил: Molier (27.04.2017)
    Просмотров: 126 | Теги: транзистор | Рейтинг: 0.0/0


    Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
    [ Регистрация | Вход ]
    Все размещеные файлы предоставлены для ознакомительного процесса. Ни основатели проекта, ни хостинг-провайдер, не любые другие физические или юридические лица не несут никакой ответственности за использование материалов сайта. Вы "обязаны" удалить скачанный программный продукт через 24 часа.