ВС558
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
| Pc max |
Ucb max |
Uce max |
Ueb max |
Ic max |
Tj max, °C |
Ft max |
Cc tip |
Hfe |
| 500mW |
30V |
30V |
5V |
100mA |
150°C |
100MHz |
- |
125/800 |
Производитель: PHILIPS
| 
