SINGLE_ENDED_JFET

Базовый усилитель на полевых транзисторах (JFET) практически свободен от проблем, связанных с шумом типа «попкорн», характерных для биполярных транзисторов и операционных усилителей с биполярным входом. Сочетание усилителя на полевых транзисторах с транскондуктивным усилителем и операционным усилителем преобразования тока в напряжение обеспечивает высокое усиление по напряжению и упрощает схемотехническое применение. Ограничивающий усиление резистор стока полевого транзистора 7,5 кОм шунтируется и исключается из уравнения усиления. Проблемы, связанные с изменением параметров, минимизируются за счет смещения истока полевого транзистора через резистор 15,1 кОм к отрицательному источнику питания. Изменения усиления минимизируются за счет того, что 100 Ом этого сопротивления остаются нешунтированными. — Л. Максвелл, «Усилители на полевых транзисторах — взгляните на эти устройства еще раз», журнал EDN, сентябрь 1977 г., стр. 161-163.

Ссылка на перепечатанную версию этой статьи:
http://www.seekic.com/circuit_diagram/Basic_Circuit/SINGLE_ENDED_JFET.html

http://www.seekic.com/circuit_diagram/Basic_Circuit/SINGLE_ENDED_JFET.html