ГТ308
Описание
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в автогенераторах, усилителях мощности и импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2.2 г.
Характеристики транзистора
| Параметр |
Обозначение |
Маркировка |
Условия |
Значение |
Ед. изм. |
| Аналог |
|
ГТ308А |
— |
2N797 |
|
| ГТ308Б |
— |
2N796 |
|
| ГТ308В |
— |
2N2048 |
|
| ГТ308Г |
— |
— |
|
| Структура |
|
|
— |
p-n-p |
|
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора |
PK max,P*K, τ max,P**K, и max |
— |
— |
150(360**) |
мВт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером |
fгр, f*h21б, f**h21э, f***max |
А |
— |
≥90 |
МГц |
| Б |
— |
≥120 |
| В |
— |
≥120 |
| Г |
— |
≥120 |
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера |
UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. |
А |
— |
20 |
В |
| Б |
— |
20 |
| В |
— |
20 |
| Г |
— |
20* |
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора |
UЭБО проб., |
А |
— |
3 |
В |
| Б |
— |
3 |
| В |
— |
3 |
| Г |
— |
3 |
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
IK max, I*К , и max |
А |
— |
50(120*) |
мА |
| Б |
— |
50(120*) |
| В |
— |
50(120*) |
| Г |
— |
50(120*) |
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера |
IКБО, I*КЭR, I**КЭO |
А |
5 В |
≤2 |
мкА |
| Б |
5 В |
≤2 |
| В |
5 В |
≤2 |
| Г |
5 В |
≤2 |
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером |
h21э, h*21Э |
А |
1 В; 10 мА |
20…75* |
|
| Б |
1 В; 10 мА |
50…120* |
| В |
1 В; 10 мА |
80…200* |
| Г |
1 В; 10 мА |
80…150 |
| Емкость коллекторного перехода |
cк, с*12э |
А |
5 В |
≤8 |
пФ |
| Б |
5 В |
≤8 |
| В |
5 В |
≤8 |
| Г |
5 В |
≤8 |
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером |
rКЭ нас, r*БЭ нас |
А |
— |
≤30 |
Ом |
| Б |
— |
≤24 |
| В |
— |
≤24 |
| Г |
— |
≤24 |
| Коэффициент шума транзистора |
Кш, r*b, Pвых |
А |
— |
— |
Дб, Ом, Вт |
| Б |
— |
— |
| В |
1.6 МГц |
≤8 |
| Г |
1.6 МГц |
≤8 |
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте |
τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) |
А |
— |
≤400 |
пс |
| Б |
— |
≤1000* |
| В |
— |
≤400 |
| Г |
— |
≤500 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
| 
