Пятница
22.11.2024
04:24
Форма входа
Категории раздела
Транзисторы [5]
Диоды [0]
Микросхемы [2]
РЕКЛАМА
--+--
Купить ссылку здесь за руб.
Поставить к себе на сайт
Фото
Поиск
Друзья сайта
  • Все для веб-мастера
  • Программы для всех
  • Мир развлечений
  • Лучшие сайты Рунета
  • Кулинарные рецепты
    • Статистика
    Онлайн всего: 1
    Гостей: 1
    Пользователей: 0

    -
    Теги сайта
    Страны
    free counters
    Free counters
    Block title
    Block content
    !!!
    Коллекция работ и идей. Всё своими руками.
    Главная » Статьи » Data Sheets » Транзисторы
    ВС558

    ВС558

    Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
    Структура полупроводникового перехода: pnp
     

    Pc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe
    500mW 30V 30V 5V 100mA 150°C 100MHz - 125/800

    Производитель: PHILIPS

    Категория: Транзисторы | Добавил: Molier (27.04.2017)
    Просмотров: 789 | Теги: PnP, ВС558, транзистор | Рейтинг: 0.0/0


    Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
    [ Регистрация | Вход ]
    Все размещеные файлы предоставлены для ознакомительного процесса. Ни основатели проекта, ни хостинг-провайдер, не любые другие физические или юридические лица не несут никакой ответственности за использование материалов сайта. Вы "обязаны" удалить скачанный программный продукт через 24 часа.