Четверг
02.04.2026
18:17
Категории раздела
Транзисторы [9]
Диоды [1]
Микросхемы [10]
Поиск
Вход на сайт
Статистика

Top.Mail.Ru
Друзья сайта
Flag Counter
Теги
чертежи дерево журнал сам Домашняя Лаборатория 2007 электроника Delay NE555 CD4017 судомоделизм примочки гитара 555 Amp LM386 DIY усилитель VerifiedGRECHA блок питания схемы Парусник Мастерок генератор синтезатор БП JFET VCO CD40106 LFO электрогитара эффекты педали boss Sequencer Tremolo distortion preamp секвенсор Verified MXR boost overdrive Pedals fuzz bass COLORSOUND Compressor TL072 drum
Коллекция работ и идей. Всё своими руками.
Главная » Статьи » Data Sheets » Транзисторы
ВС558

ВС558

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp
 

Pc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe
500mW 30V 30V 5V 100mA 150°C 100MHz - 125/800

Производитель: PHILIPS

Категория: Транзисторы | Добавил: Molier (27.04.2017)
Просмотров: 876 | Теги: PnP, ВС558, Транзистор | Рейтинг: 0.0/0


Похожие статьи :
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]